Лепих, Ярослав ИльичМокрицкий, В. А.Ленков, С. В.Банзак, О. В.Гунченко, Ю. А.Лепіх, Ярослав ІллічМокрицький, В. А.Лєнков, С. В.Гунченко, Ю. О.Lepikh, Yaroslav I.Mokritsky, V. A.Lenkov, S. V.Banzak, O. V.Gunchenko, Yu. A.2011-10-132011-10-132010Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystemhttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2127Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - вип.1(7)№1,2010В работе обнаружены изменения электрических параметров слоев, полученных с использованием облучения гамма-квантами в процессе эпитаксии. Дано объяснение полученных результатов образованием комплексов первичных радиационных дефектов с атомами примеси. Исследованы спектры фотолюминесценции слоев арсенида галлия, полученных с начальной температурой эпитаксии 1023 К.У роботі виявлені зміни електричних параметрів шарів, отриманих з використанням опромінення гамма-квантами в процесі епітаксії. Дано пояснення отриманих результатів утворенням комплексів первинних радіаційних дефектів з атомами домішки. Досліджені спектри фотолюмінесценції шарів арсеніду галію, отриманих з початковою температурою епітаксії 1023 К.In work changes of electric parameters of layers received with use scale-quantums during epetaseya are found out. The explanation of received results by formation of complexes primary radiating defects with atoms of impurity is given this assumption spectra of photoluminescence of layers of arsenide of the gallium, received with reference temperature epetaseya 1023 K.ruарсенид галлиягамма-квантыэлектронырадиационные дефектыспектрыфотолюминесценцииэпитаксияарсенід галіюепітаксіягамма-квантиелектронирадіаційні дефектиспектри фотолюмінесценціїarsenide of galliumscale-quantumselectronsradiating defectsspectra of photoluminescenceArticle