Стукалов, С. А.Евтушенко, Н. Г.Жуков, Сергей АлександровичРотнер, Сергей МихайловичТюрин, Александр ВалентиновичТюрін, Олександр ВалентиновичTyurin, Oleksandr V.Жуков, Сергій ОлександровичZhukov, Serhii O.2013-12-172013-12-1720083-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/41163-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.При лазерном легировании n-GaP<S> индием могут быть получены структуры с хорошими фотоэлектрическими свойствами, излучающие в желто-зеленой области спектра.ruструктура сенсоровсвойства сенсоровлазерное легированиеGaPArticle