Глауберман, Михаил АббовичЕгоров, В. В.Канищева, Н. А.Козел, В. В.Glauberman, Mykhailo A.Глауберман, Михайло Абович2018-05-312018-05-312000Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16396Исследовано влияние температуры и радиационного облучения на абсолютную чувствительность, эффективность преобразования и разрешающую способность двухколлекторных магнитотранзисторов. Показано, что влияние температуры на разрешающую способность обусловлено, главным образом, ее влиянием на величину остаточного сигнала, основными причинами возникновения которого являются геометрическая асимметрия и неоднородность свойств материала.ruддвухколлекторный магнитотранзисторогеометрическая асимметриямежколлекторное расстояниеэмиттерВлияние внешних факторов на параметры магнитотранзисторных структурArticle