Жуковська, Олександра Вадимівна2020-09-232020-09-232020Жуковська, О. В. Вплив режимів фотохімічного поверхневого легування сіркою на морфологію поверхні n-GaAs : дипломна робота бакалавра / О. В. Жуковська. – Одеса, 2020. – 33 с.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/28749Р-n переходи на основі GaAs є височутливими сенсорами парів аміаку. За допомогою фотохімічного поверхневого легування сіркою можна підняти газову чутливість таких структур. У даний час відсутні дослідження змін чутливості та морфології поверхні таких структур при різних умовах сульфідної обробки.uk104 фізика та астрономіялегуваннясіркарежимиDiplomas