Курмашев, Ш. Д.Софронков, А. Н.Бугаева, Т. Н.Лавренова, Т. И.2013-02-182013-02-182012"Дисперсные системы" XXV междн.науч.конф.Материалы конференцииhttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/3227"Дисперсные системы",XXV междн.науч.конф. материалы,17-21 сентября 2012 г. - Одесса, 2012Высокая теплопроводность, высокая напряженность электрического пробоя и большая плотность электрического тока делают SiC перспективным материалом для высокомощных устройств. Элементы из карбида кремния используются при производстве наноструктурной керамики, электронных компонентов.ruмонодисперсные порошкикарбиднитридлазерПОЛУЧЕНИЕ МОНОДИСПЕРСНЫХ ПОРОШКОВ КАРБИДА И НИТРИДА КРЕМНИЯ С ПРИМЕНЕНИЕМ ЛАЗЕРАArticle