Птащенко, Олександр ОлександровичПтащенко, Ф. О.Птащенко, Александр АлександровичPtashchenko, Oleksandr O.2011-08-242011-08-242003Вісник Одеського національного університету = Odesa National University Heraldhttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/1908Проведено двовимірні чисельні розрахунки розподілу потенціалу і густини струму в p-n структурах на основі GaAs з урахуванням поверхневої рекомбінації та викривлення зон під дією адсорбованих іонів. Дія адсорбованих іонів, локалізованих на поверхні власного оксиду, врахована в граничних умовах наявністю сильного поверхневого електричного поля. Розрахунки підтверджують модель створення поверхневого провідного каналу під дією іонів і виявляють ряд особливостей його параметрівПроведены двумерные численные расчеты распределения потенциала и плотности тока в p-n структурах на основе GaAs с учетом поверхностной рекомбинации и искривления зон под действием адсорбированных ионов. Действие адсорбированных ионов, локализованных на поверхности собственного оксида, учтено в граничных условиях наличием сильного поверхностного электрического поля. Расчеты подтверждают модель образования поверхностного проводящего канала под действием ионов и обнаруживают ряд особенностей его параметров.Two-dimensional numerical calculations of potential and current density distributions in p-n structures on GaAs were performed taking into account surface recombination, as well as the band bending due to adsorbed ions. The action of adsorbed ions, located on the surface of the natural oxide, was described in the boundary condition by the presence of a strong surface electric field. The calculations reinforce the model of the surface conductive channel forming due to the ions and reveal some features of its parameters.ukp-n структуриадсорбція іонівArticle