Вашпанов, Юрий Александрович2018-06-052018-06-051999Фотоэлектроника = PhotoelectronicsУДК 621.315.292https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16558Изучены электронные параметры и адсорбционная чувствительность к кислороду тонких полупроводниковых пленок селенида кадмия, подвергнутых ионной имплантации атомами тяжелых металлов. Обнаружено значительное изменение электропроводности, концентрации и подвижности электронов в материале. Наибольшие изменения наблюдаются при имплантации ионов индия. Обсуждается физический механизм влияния ионной имплантации на свойства реальной поверхности пленок CdSe.ruCdSeселенид кадмиякислородионная имплантацияатомы тяжелых металловArticle