Свиридова, О. В.Свірідова, О. В.Sviridova, O. V.2012-11-282012-11-282012Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronіcs and Mіcrosystem Technologіeshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2705В работе построены температурные зависимости коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности инфракрасных кремниевых p-i-n-фотоприемников для разной поверхностной плотности дислокаций; установлены механизмы изменения формы температурной зависимости коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности инфракрасных кремниевых p-i-n- фотоприемников при увеличении поверхностной плотности дислокаций.В роботі побудовано температурні залежності коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-фотоприймачів для різної густини дислокацій; встановлено механізми зміни форми температурної залежності коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-фотоприймачів при зростанні густини дислокацій.Temperature dependences of photocurrent amplification factor and of quantum efficiency of infrared silicon p-i-n-photodetectors for different superficial density of dislocations are constructed; mechanisms of change of temperature dependence form of photocurrent amplification factor and of quantum efficiency for infrared silicon p-i-n-photodetectors at increase in superficial density of dislocations are obtainedruдислокациикоэффициент усиления фототокаквантовая эффективностьp-i-n- фотоприемникидислокаціїкоефіцієнт посилення фотострумуквантова ефективністьp-i-n-фотоприймачіdislocationsphotocurrent amplification factorquantum efficiencyp-i-n-photodetectorsАнализ температурных зависимостей коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности кремниевых p-i-n-фотоприемников, предназначенных для регистрации излучения в инфракрасной области спектра, проведенный для различных плотностей дислокаций в приборахАналіз температурних залежностей коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності кремнієвих p-i-n-фотоприймачів, виготовлених для реєстрації випромінення в інфрачервоній області спектру, проведений для різних густин дислокацій у приладахThe analysis of temperature dependences of photocurrent amplification factor and of quantum efficiency of silicon p-i-n-photodetectors, intended for radiation registration in infrared area of spectrum, spent for various density of dislocations in devicesArticle