Фастиковський, Павло ПетровичГлауберман, Михайло АбовичФастыковский, Павел ПетровичFastykovsky, Pavel P.Глауберман, Михаил АббовичGlauberman, Mykhailo A.2019-03-272019-03-2720146-та Міжнародна наукова-технічна конференція "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології"(СЕМСТ-6) (з виставкою розробок та промислових зразків сенсорів), Україна, Одеса, 29 вересня - 3 жовтня 2014 р. : тези доповідей : Конф. присвяч.150-й річниці Одеського нац. ун-ту ім. І.І. Мечникова і 100-річчю науки про напівпровідники / гол. ред.: В. А. Сминтина; редкол.: О. Є. Бєляєв [та ін.]; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова, Одеський нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. – Одеса : Астропринт, 2014. – 265 с.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/23367Кремнієві МОН - структури (метал - оксид - напівпровідник) з нанорозмірним пористим оксидним шаром дуже перспективні для виготовлення на їх основі ємнісних сенсорів вологості газових середовищ, так як мають високу вологочутливість, малий гістерезис та лінійність робочої характеристики. Механізми вологочутливості структур були розкрити раніше, однак причини лінійності робочої характеристики з’ясовані не були.ukробоча характеристикаємнісні сенсоригазові середовищаоксидний шарArticle