Мак, В. Т.Пастернак, В. О.Пронічкін, В. Д.2018-02-262018-02-262001Вісник Одеського національного університету = Odesa National University Heraldhttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/12931Вивчено вплив гамма опромінення на властивості Si транзисторних структур. Встановлено можливість керування коефіцієнтом передачі струму в cxeмi із спільним eемітером, надійністю, а також відновленням бракованих по одному або двох параметрах транзисторів за допомогою гамма-випромінювання. Проаналізовано фізичні процеси, які відповідають за модифікацію параметрів транзисторів.Исследовано влияние гамма облучения на свойства Si транзисторных структур. Обнаружена возможность управления коэффициентом передачи тока в схеме с общим эмиттером, надежностью, а также восстановлением бракованных по одному либо двум параметрам транзисторов с помощью гамма облучения. Проанализированы физические процессы, ответственные за модификацию параметров транзисторов.The influence of gamma irradiation on the properties of silicon transistor structures was investigated. Was ascertained the possibility to change the coefficient of strengthening of current in the scheme with a common emitter, to manage reliability and also to recover defected with one or two parameter transistors with a help of gamma irradiation. Physical processes, which correspond to modification of parameters of transistors, have been analyzed.ukгамма опроміненняSi транзисторні структуригамма облучениеSi транзисторные структурыgamma irradiationsilicon transistor structuresArticle