Kulikov, S. S.Brytavskyi, Yevhen V.Borshchak, Vitalii A.Zatovska, Nataliia P.Kutalova, Mariia I.Karakis, Yurii M.Куликов, С. С.Бритавський, Євген ВікторовичБорщак, Віталій АнатолійовичЗатовська, Наталія ПетрівнаКуталова, Марія ІванівнаКаракіс, Юрій Миколайович2022-11-132022-11-132022Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/34199The technology of CdS semiconductor crystals processing in the corona discharge is developed. It is established that as a result of this exposure, the samples acquire alternating spectral sensitivity. The observed phenomenon is explained by the emergence of a saddle of the potential barrier in the surface region of the element, the unusual properties which can allow the creation of a new type of device.Разработана технология обработки кристаллов полупроводников CdS в коронном разряде. Установлено, что в результате такого воздействия образцы приобретают перемен- ную спектральную чувствительность. Наблюдаемое явление объясняется появлением седла потенциального барьера в приповерхностной области элемента, необычные свойства которого могут позволить создать новый тип устройства.Розроблено технологію обробки кристалів напівпровідників CdS у коронному розряді. Встановлено, що в результаті такого впливу зразки набувають змінної спектральної чутли- вості.Спостережуване явище пояснюється появою сідла потенційного бар'єру в приповерхневій області елемента, незвичайні властивості якого можуть створити новий тип пристрою.ukinhomogeneous alloyingcorona dischargebarrier structureнеоднородное легированиекоронный разрядструктура барьеранеоднорідне легуваннякороний разрядструктура бар’єраArticle