Гриневич, Виктор Сергеевич2018-05-302018-05-301996Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16335Анализируются физические условия функционирования чувствительного элемента для регистрации упругих напряжений в микрообъеме микроэлектронной системы. В качестве чувствительного элемента используется полупроводниковая поликристаллическая пленка, содержащая кристаллиты двух структурных модификаций CdSe(a + Р). На границах раздела кристаллитов упомянутых фаз аир возникают значительные механические напряжения. Результаты этих процессов могут быть зарегистрированы электрически в виде резкого изменения темнового тока в контуре, содержащем чувствительный элемент.ruселенид кадмияэлектрические процессыполупроводниковые слои селенида кадмияArticle