Глауберман, Михайло АбовичЛепіх, Ярослав ІллічГлауберман, Михаил АббовичЛепих, Ярослав ИльичSmyntyna, Valentyn A.Lepikh, Yaroslav I.Сминтина, Валентин АндрійовичСмынтына, Валентин Андреевич2020-04-042020-04-042020Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologieshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/27817Напівпровідникові магніточутливі транзисторні структури (МТС), як показали дослідження, можуть бути основою ефективних сенсорів магнітного поля, а також сенсорів інших фізичних величин. Однак практичне застосування таких сенсорів вимагає для забезпечення високих метрологічних характеристик дослідження впливу дестабілізуючих чинників на самі МТС. В числі основних таких чинників є температура. Дослідженню впливу на основні характеристики МТС температури зовнішнього середовища і присвячена дана робота. Аналізуються механізми впливу температури на МТС, залежність їх характеристик, зокрема перетворювальних параметрів з позицій можливого використання в сенсорах.Studies have shown that semiconductor magnetically sensitive transistor structures (MTS) can be the basis of effective magnetic field sensors, as well as sensors of the other physical quantities. However, such sensors practical application requires investigation of the destabilizing factors influence on the MTS themselves to ensure high metrological characteristics. Temperature is among these main factors. The study of the environment temperature influence on the main MTS characteristics is the subject of this work. The mechanisms of the temperature influence on the MTS, their characteristics dependences, in particular, the conversion parameters from the point of view of possible use in sensors, are analyzed.Полупроводниковые магниточувствительные транзисторные структуры (МТС), как показали исследования, могут быть основой эффективных сенсоров магнитного поля, а также сенсоров других физических величин. Однако практическое применение таких сенсоров требует для обеспечения высоких метрологических характеристик исследования влияния дестабилизирующих факторов на сами МТС. В числе таких основных факторов является температура. Исследованию влияния на основные характеристики МТС температуры внешней среды и посвящена данная работа. Анализируются механизмы влияния температуры на МТС, зависимость их характеристик, в частности преобразовательных параметров с позиций возможного использования в сенсорах.ukмагніточутливі транзисторні структуринапівпровідниктемпературамагнітне полесенсориmagnetosensitive transistor structuressemiconductortemperaturemagnetic fieldsensorsмагниточувствительные транзисторные структурыполупроводниктемпературамагнитное полесенсорыArticle