Ваксман, Юрій ФедоровичНіцук, Юрій АндрійовичVaksman, Yurii F.Nitsuk, Yurii A.2019-03-272019-03-2720146-та Міжнародна наукова-технічна конференція "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології"(СЕМСТ-6) (з виставкою розробок та промислових зразків сенсорів), Україна, Одеса, 29 вересня - 3 жовтня 2014 р. : тези доповідей : Конф. присвяч.150-й річниці Одеського нац. ун-ту ім. І.І. Мечникова і 100-річчю науки про напівпровідники / гол. ред.: В. А. Сминтина; редкол.: О. Є. Бєляєв [та ін.]; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова, Одеський нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. – Одеса : Астропринт, 2014. – 265 с.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/23361останні роки значно зріс інтерес до дослідження кристалів групи А2В6, легованих перехідними елементами (Ті, V, Cr, Мп, Fe, Co, Ni). Кристали халькогенідів цинку, що містять домішки Сг та Fe, використовуються в якості активних середовищ і пасивних затворів для лазерів ІЧ-діапазону. Існування декількох зарядових станів Ті, V, Ni в забороненій зоні кристалів групи А2Вб, і можливості перемикання між ними, дає можливість створення опто-оптичних перемикачів [І]. Це визначає актуальність досліджень оптичних та фотоелектричних властивостей кристалів ZnS, ZnSe, ZnTe, легованих Ті та V.ukхалькогенід цинкуфотоелектричні властивостіоптичні властивостіArticle