Малушин, Николай ВасильевичСмынтына, Валентин АндреевичДали, Абдул Кадер2018-05-312018-05-312000Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16394Исследовался механизм формирования собственных дефектов в пленках ZnTe. легированных литием. Показано, что образование акцепторных дефектов при введении лития — LiZn способствует разрушению центров самоактивированной люминесценции и образованию собственного дефекта — вакансии теллура, которая является глубоким донором. Излучательная рекомбинация, обуславливающая длинноволновую люминесценцию при Хиакс = 0,75 мкм, осуществляется по схеме: глубокий донор — мелкий акцептор.ruлитийакцепторный дефектлюминесценциявакансия теллурарекомбинацияакцепторArticle