Nitsuk, Yuriy A.Ницук, Юрий АндреевичНіцук, Юрій Андрійович2012-05-252012-05-252011Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2480Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2011. - англ.The zinc chalkogenides (ZnS,ZnSe,ZnTe) single crystals doped with 3d-impurityes (Cr,Fe,Co,Ni) are investigated.The diffusion doping is carried out from metallic chromium and nickel or powderlike iron and cobalt in helium and argon atmosphere.The optical density spectra are investigated in the fundamental absorption range of ZnS,ZnSe, ZnTe crystals.The transition-metal elements doping of crystals results in the absorption edge shift toward lower energies.From the value of the absorption edge shift,the 3d-impuryty concentrations in crystals under investigation is determined.Исследованы монокристаллы халькогенидов цинка (ZnS,ZnSe,ZnTe),легированные 3d-примесями (Cr,Fe,Co,Ni).Диффузионное легирование осуществлялась из металлического хрома и никеля или порошкообразного железа и кобальта в атмосфере гелия и аргона. Исследованы спектры оптической плотности в области фундаментального поглощения кристаллов ZnS,ZnSe,ZnTe.Показано,что легирование элементами переходных металлов приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны исследуемых кристаллов.По величине смещения края поглощения определены концентрации 3d-примесей в исследуемых кристаллах.Досліджено монокристали халькогенідів цинку (ZnS,ZnSe,ZnTe),що леговані 3d-домішками (Cr,Fe,Co,Ni).Дифузійне легування виконувалось з металевого хрому та нікелю або порошкоподібного заліза та кобальту в атмосфері гелію та аргону.Досліджено спектри оптичної густини в області краю фундаментального поглинання кристалів ZnS,ZnSe,ZnTe.Показано,що легування елементами перехідних металів призводить до зменшення ширини забороненої зони в досліджуваних кристалах.За величиною зсуву краю поглинання визначені концентрації 3d-домішок в досліджуваних кристалах.enzink chalkogenides3d-impurytiesoptical-densityband gap shiftхалькогениды цинка3d-примесиоптическая плотностьизменение ширины запрещенной зоныхалькогеніди цинку3d-домішкиоптична густиназміна ширини забороненої зониINFLUENCE OF 3d-IMPURITIES (Cr, Fe, Co, Ni) ON THE POSITION OF ABSORPTION EDGE IN ZINC CHALKOGENIDESВЛИЯНИЕ 3d-ПРИМЕСЕЙ (Cr, Fe, Co, Ni) НА ПОЛОЖЕНИЕ КРАЯ ПОГЛОЩЕНИЯ В ХАЛЬКОГЕНИДАХ ЦИНКАВПЛИВ 3d-ДОМІШОК (Cr, Fe, Co, Ni) НА ПОЛОЖЕННЯ КРАЮ ПОГЛИНАННЯ В ХАЛЬКОГЕНІДАХ ЦИНКУArticle