Птащенко, Олександр ОлександровичПтащенко, Федір ОлександровичМаслєєва, Наталя ВолодимирівнаБогдан, О. В.Шугарова, В. В.Ptashchenko, Oleksandr O.Maslieieva, Natalia V.2013-12-022013-12-022008Вплив атомів сірки на характеристики p-n переходів на основі GaAs як газових сенсорів // О. О. Птащенко, Ф. О. Птащенко, Н. В. Маслєєва, О. В. Богдан, В. В. Шугарова // 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3) (Одеса, 2–6 черв. 2008 р.). – Одеса : Астропринт, 2008. – С. 187.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/4014Досліджено пасивацію поверхні GaAs атомами сірки та вплив пасивації на характеристики р-n переходів на основі GaAs як газових сенсорів. Пасивація здійснювалась нанесенням на поверхню GaAs атомів сірки у водних розчинах Na2S* Н2О. Ступінь пасивації змінювався її тривалістю. Вимірювались стаціонарні вольтамперні характеристики (ВАХ) р-n переходів у сухому повітрі, в атмосфері, що містила насичені пари води і етилену над відповідними рідинами, а також у парах аміаку над його водними розчинами різних концентрацій. Аналізувалась кінетика прямого і зворотного струмів р-n переходів при зміні складу навколишньої атмосфери, а також вимірювалися спектри фотоструму.ukатоми сіркигазові сенсорир-n переходиArticle