Птащенко, Олександр ОлександровичПтащенко, Ф. О.Маслєєва, Наталія ВолодимирівнаБогдан, О. В.Шугарова, В. В.Птащенко, Александр АлександровичPtashchenko, Oleksandr O.2013-12-022013-12-0220083-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/40143-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.Досліджено пасивацію поверхні GaAs атомами сірки та вплив пасивації на характеристики р-n переходів на основі GaAs як газових сенсорів. Пасивація здійснювалась нанесенням на поверхню GaAs атомів сірки у водних розчинах Na2S* Н2О. Ступінь пасивації змінювався її тривалістю. Вимірювались стаціонарні вольтамперні характеристики (ВАХ) р-n переходів у сухому повітрі, в атмосфері, що містила насичені пари води і етилену над відповідними рідинами, а також у парах аміаку над його водними розчинами різних концентрацій. Аналізувалась кінетика прямого і зворотного струмів р-n переходів при зміні складу навколишньої атмосфери, а також вимірювалися спектри фотоструму.ukатоми сіркигазові сенсорир-n переходиArticle