Борщак, Віталій АнатолійовичСминтина, Валентин АндрійовичБритавський, Євген ВікторовичBorshchak, Vitalii A.Smyntyna, Valentyn A.Brytavskyi, Yevhen V.Борщак, Виталий АнатольевичСмынтына, Валентин АндреевичБритавский, Евгений Викторович2015-03-192015-03-192014Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologieshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/6141Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журналПроведено комплекс досліджень, направлених на з’ясування відхилень від стехіометрії сполуки CuxS при її формуванні та з подальшим плином часу для встановлення особливостей зміни хімічного складу компонентів гетеропереходу. Враховуючи, що питання про зв'язок ступеню та розподілу стехіометрії в шарі сульфіду міді з оптоелектричними властивостями гетероструктури є відкритим, інформативним та надзвичайно важливим для практичного впровадження розробленого сенсору, для великої вибірки зразків були проведені електрохімічний аналіз та дослідження методом рентгенівської дифрактометріїA set of studies aimed at clarifying the deviation from the stoichiometry of CuxS compound during the formation and followed over time to establish the characteristics of changes in the chemical composition of the heterojunction components were carried out. The question of relationship between optoelectrical properties of heterostructures and distribution of stoichiometry in the layer of copper sulfide is open, informative and very important for the practical implementation of the developed sensor. Electrochemical analysis and study by X-ray diffraction for large samples set were conducted.Проведен комплекс исследований, направленных на выяснение отклонений от стехиометрии соединения CuxS при формировании и с последующим течением времени для установления особенностей изменения химического состава компонентов гетероперехода. Учитывая, что вопрос о связи степени и распределения стехиометрии в слое сульфида меди с оптоелектрическими свойствами гетероструктуры является открытым, информативным и чрезвычайно важным для практического внедрения разработанного сенсора, для большой выборки образцов были проведены электрохимический анализ и исследования методом рентгеновской дифрактометрии.ukнеідеальний гетероперехідсенсор зображеньфазовий складрентгеноструктурний аналізnonideal heterojunctionimage sensorphase compositionXRDнеидеальный гетеропереходсенсор изображенийфазовый составрентгеноструктурный анализArticle