Ambrosov, S. V.Khetselius, O. Yu.Ignatenko, Anna V.Амбросов, С. В.Хецеліус, Ольга ЮріївнаІгнатенко, Ганна ВолодимирівнаАмбросов, С. В.Хецелиус, Ольга ЮрьевнаИгнатенко, Анна Владимировна2010-09-102010-09-102008Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/293Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.A numerical calculation of the DC Stark effect for H, Rb atoms and Wannier-Mott exciton in an external uniform DC electric field is carried out within the operator Glushkov-Ivanov perturbation theory method. На підставі методу операторної теорії збурень Глушкова-Иванова виконано розрахунок Штарк-ефекту для атомів H, Rb та ехсітонів Ван’є-Мотта (напівпровідник Cu20) у однорідному електричному полі. На основе метода операторной теории возмущений Глушкова-Иванова выполнен расчет Штарк-эффекта для атомов H, Rb и экситона Ванье-Мотта (полупроводник Cu20) в однородном электрическом поле.enWANNIER-MOTT EXCITON AND H, RB ATOM IN A DC ELECRIC FIELD: PHOTOIONIZATION, STARK EFFECTЕКСІТОН ВАН’Є-МОТТА І АТОМИ H, RB У ПОСТІЙНОМУ ЕЛЕКТРИЧНОМУ ПОЛІ: ШТАРК ЕФЕКТЭКСИТОН ВАНЬЕ-МОТТА И АТОМЫ H, RB В ПОСТОЯННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ: ШТАРК ЭФФЕКТArticle