Курмашев, Шамиль ДжамашевичШевчук, О. Б.Викулин, Иван МихайловичГрадобоев, А. А.2018-05-312018-05-312000Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16403Исследованы характеристики инфракрасной фоточувствителъности инжекционных фотодиодов на основе p-InSb. Обсуждаются особенности технологии изготовления структур. Показано, что чувствительность приемников определяется уровнем модуляции проводимости базы инжекционным током. На основе p-InSb могут быть созданы высокочувствительные фотоприемники для области спектра X = 8—12 мкм.ruфотодиодфоточувствителъностьинжекционный токспектрArticle