Алешин, Алексей НиколаевичЛяшевская, В. А.Мандель, Владимир ЕфимовичПавлов, С. С.Пастернак, Валерий АлександровичТюрин, Александр ВалентиновичТюрін, Олександр ВалентиновичTyurin, Oleksandr V.2018-09-082018-09-082003Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/18651Предложена методика изучения влияния потенциальных барьеров для носителей тока на границе раздела кристаллит — окисная фаза на электрические свойства пленок сульфида свинца, в соответствии с которой, измеряя кинетические зависимости постоянной времени релаксации темнового и фототока от прикладываемого напряжения, можно судить не только о поведении омической проводимости, но и о емкостной и индуктивной проводимостях пленки, обусловленных релаксацией заряда на межкристаллитном барьере. Рассчитана эквивалентная схема таких пленок, которая позволяет пояснить характер протекающих в них процессов релаксации заряда на межкристаллических прослойках и процессов туннелирования. Количественная оценка постоянной времени релаксации фототока позволяет рассчитать минимальное время, необходимое для достижения равновесного значения тока, то есть минимальную длительность оптического сигнала в режиме поэлементного опроса датчиков фотоприемного модуля.ruрелаксация зарядаокисная фазаArticle