Vikulin, Ivan M.Vikulina, L. F.Kurmashev, Shamil D.Mingaljov, V. A.Викулин, Иван МихайловичВикулина, Л. Ф.Курмашев, Шаміль ДжамашевичМингалев, В. А.Вікулін, Іван МихайловичВікуліна, Л. Ф.Мінгалев, В. А.2010-10-132010-10-132007Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/918Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2007.Influence of magnetic field and light on current flow in silicon unijunction transistor was investigated. It is shown, magnetic field with induction B = 1T and radiation from GaAs light-emitting diode causes to the identical change of the base resistance and the current. Исследовалось влияние магнитного поля и света на протекание тока в кремниевом однопереходном транзисторе. Показано, что магнитное поле с индукцией до 1 Тл и излучение от арсенидгаллиевого светодиода приводят к одинаковому изменению сопротивления базы и тока. Вивчався вплив магнітного поля та світла на протікання струму у кремнієвому одноперехідному транзисторі. Показано, що магнітне поле з індукцією до 1Тл та випромінювання від арсенгалієвого світлодіоду приводять до однакових змін опору бази та струму.Article