Dragoev, A. A.Muntjanu, A. V.Karakis, Yurii M.Kutalova, Mariia I.Драгоев, А. А.Мунтяну, А. В.Каракис, Юрий НиколаевичКуталова, Мария ИвановнаКуталова, Марія ІванівнаКаракіс, Юрій Миколайович2010-09-062010-09-062010Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/197Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2010. - Вып. 19. - 2010.Energy shape for contact barrier to crystal contained R-centers has been calculated. It was shown that migration of sensitizing centers can cause the longtime changes in shape of photocurrent relaxation curves.Рассчитан энергетический профиль контактных барьеров к кристаллу, содержащего R-центры. Показано, что миграция центров очувствления способна вызвать долговременные изменения вида релаксационных кривых фототока.cristalsR-centersphotocurrentrelaxation curveкристаллR-центрыфототокрелаксационная криваяArticle