Владимиров, Д. О.Мандель, Володимир ЮхимовичПопов, Андрій ЮрійовичТюрін, Олександр ВалентиновичVladymyrov, D. O.Mandel, Volodymyr Yu.Popov, Andrey Yu.Tyurin, Oleksandr V.2018-06-062018-06-062002Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16623Встановлено, що ультрафіолетове опромінення адитивно забарвлених кристалів КСI приводить до утворення в них глибоких електронних пасток. Висловлене припущення, що за ці пастки відповідальні іони кисню і водню, розташовані в аніонних вакансіях. Утворення глибоких пасток приводить до значного поліпшення голографічних характеристик кристалів при запису в них тривимірних голограмам.ukкристаладитиваніонна вакансіятривимірна голограмаArticle