Kurmashev, Shamil D.Vikulin, Ivan M.Nikiforov, S. N.Курмашев, Шаміль ДжамашевичВікулін, Іван МихайловичНикифоров, С. Н.Викулин, Иван МихайловичНикифоров, С. Н.2010-09-102010-09-102006Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/276Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт, 2006.The characteristics of infrared photosensitivity for injection photodiodes on p-InSb base were investigated. It is shown that as a result of electron irradiation at electron energy E = 225 MeV and integral dose Ô = 1014 sm-2 the carrier lifetime practically does not change. The change of diodes parameters corresponds to the scheme for the formation of Frenkel defects in p-InSb: shallow donors-interstitial site In and Sb, shallow acceptor-Sb-vacancy, deep donor- In-vacancy. The threshold beam of light-irradiation for the diodes practically does not change. Досліджено характеристики інфрачервоної фоточутливості інжекційних фотодіодів на основі p-InSb. Показано, що в результаті електронного опромінення при енергії електронів E = 225 МеВ і інтегральній дозі Ф = 1014 см-2 час життя електронів практично не міняється. Зміна параметрів ІФД відповідає схемі утворення дефектів Френкеля в p-InSb: дрібні донори-міжвузельні In і Sb, дрібний акцептор-вакансія Sb, глибокий донор-вакансія In. Поро- говий потік для ІФД у результаті опромінення практично не змінюється. Исследованы характеристики инфракрасной фоточувствительности инжекционных фотодиодов на основе p-InSb. Показано, что в результате электронного облучения при энергии электронов E = 225 МэВ и интегральной дозе Ф = 1014 см-2 время жизни электронов практически не меняется. Изменение параметров ИФД соответствует схеме образования дефектов Френкеля в p-InSb: мелкие доноры -межузельные In и Sb, мелкий акцептор-вакансия Sb, глубокий донор-вакансия In. Пороговый поток для ИФД в результате облучения практически не изменяется.enArticle