Dragoev, A. A.Ilyashenko, A. S.Babinchuk, V. S.Karakis, Yurii M.Kutalova, Mariia I.Драгоев, А. А.Ильяшенко, А. С.Каракис, Юрий НиколаевичКуталова, Мария ИвановнаБабинчук, В. С.Куталова, Марія ІванівнаКаракіс, Юрій Миколайович2013-03-122013-03-122012Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/3397Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2012. - англ.The fast relaxation of the photocurrent associated with electronic processes has been explored. The external factors effect has been investigated. It was shown that in contrast to the accepted view of the phenomena, the of carriers' transitions mechanism includes thermal excitation in sensitivity centers, and only then transition to the free state.Исследована быстрая релаксация фототока, связанная с электронными процессами. Изучено влияние на неё внешних факторов. Показано, что в отличие от действующих представлений, процесс перехода носителей включает в себя сначала термическую активацию на возбуждённые уровни центров чувствительности, а затем в свободное состояние.enrelacxationphotocurrentrecombinationрелаксацияфототокрекомбинацияArticle