Сминтина, Валентин АндрійовичКулініч, О. А.Глауберман, Михайло АбовичЧемересюк, Г. Г.Яцунский, І. Р.Smyntyna, Valentyn A.Kulinich, O. A.Glauberman, Mykhailo A.Chemeresuk, G. G.Yaсunsky, I. R.Глауберман, Михаил Аббович2012-08-012012-08-012005ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА=PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLID STATEhttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2569В роботі на основі проведених за допомогою сучасних методів досліджень запропонована модель струмопереносу в реальних структурах метал-кремній в межах діодної та дрейфової теорій і основана на бар’єрних властивостях структурних дефектів і залежності рухловості носіїв зарядів від різних механізмів процесу розсіювання.The process current flow modeling in real metal – silicon structures with used modern method of research in limits of diffusion and thermoelectric theories and used on barrier properties of the structural defects and carrier mobility depending on different mechanisms of the scattering has been proposedukкремнійметалмоделюванняструмопереносArticle