Сайко, Петр АлексеевичШаповалов, Игорь ПетровичСайко, Петро ОлексійовичШаповалов, Ігор ПетровичShapovalov, Ihor P.Saiko, Petro O.2019-03-282019-03-282010"Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса) Тези доповідей, 28 черв.-2 лип., 2010 р. / "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса); гол. ред. В. А. Сминтина; ОНУ ім. І.І. Мечникова [та ін.]. – Одеса : Астропринт, 2010. – 354 с.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/23388В одноосных магнитных кристаллах с большим значением константы кристаллического поля D и единичным значением атомных спинов S в случае, когда внешнее магнитное поле h направлено вдоль кристаллографической оси (ось z), возможны две одноподрешеточные фазы, обладающие аксиальной симметрией. Первая из них – обычная ферромагнитная фаза (ФМФ) с осью ферромагнитного упорядочения, направленной вдоль оси z. Вторая – квадрупольная фаза (КФ), в которой при нулевой температуре (T=0) даже в присутствии поля h намагниченность в системе равна нулю: МZ=0 [1]. При отличных от нуля температурах намагниченность МZ определяется системой двух трансцендентных уравнений [2]. Решения этой системы различны для различных фаз, а фазовый переход (ФП) из КФ в ФМФ, индуцируемый увеличением внешнего магнитного поля, происходит как ФП первого рода, сопровождающийся скачком намагниченности [3]. При низких температурах значение критического поля h*, при котором происходит этот переход, практически не зависит от температуры. Таким образом, фиксируя скачок намагниченности МZ, можно судить о достижении магнитным полем критического значения.ruодноосные магнитные кристаллыкристаллическое поле типа «легкая плоскость»датчик магнитного поляМатериалы для низкотемпературных датчиков магнитного поляArticle