Glushkov, Oleksandr V.Lepikh, Yaroslav I.Ambrosov, S. V.Khetselius, O. Yu.Chernyakova, Yu. G.Глушков, Олександр ВасильовичЛепіх, Ярослав ІллічАмбросов, С. В.Хецеліус, Ольга ЮріївнаЧернякова, Ю. Г.Глушков, Александр ВасильевичЛепих, Ярослав ИльичАмбросов, С. В.Хецелиус, Ольга ЮрьевнаЧернякова, Ю. Г.2010-09-102010-09-102008Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/282Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.The optimal laser photoionization scheme for preparing the films of pure composition on example of creation of the hetero structures (layers of GaAlAs) is proposed.. New model of optimal realization of the first step excitation and further ionization of the As+ ions in Rydberg states by DC electric field is developed. Запропоновано оптимальну лазерно-фотоіонізаційну схему приготування плівок особливо чистого складу на прикладі контролю побудови гетероструктур (типу GaAlAs).Розвинуто нову модель оптимальної реалізації збудження на 1-й стадії й подальшої іонізації іонів As+ у рідбергових станах електричним полем. Предложена новая оптимальная лазерно-фотоионизационная схема приготовления пленок особо чистого состава на атомном уровне на примере контроля приготовления гетероструктур (типа GaAlAs). Развита новая модель оптимальной реализации возбуждения на первой стадии и дальнейшей ионизации ионов As+ в ридберговых состояниях внешним электрическим полем.enArticle