Алешин, Алексей НиколаевичБурлак, А. В.Пастернак, Валерий АлександровичЦукерман, В. Г.2018-05-312018-05-312000Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16375Исследованы особенности вольтамперных характеристик (ВАХ) фоторезисторов, изготовленных на основе поликристаллических пленок сульфида свинца. Установлено, что на ВАХ фототока ряда пленок, полученных методом химического осаждения из раствора, наблюдается участок отрицательной дифференциальной проводимости. Показано, что причиной уменьшения фоточувствительности является ленц-джоулев разогрев фоторезисторов. Рассмотрена математическая модель этого процесса, учитывающая особенности фотоэлектрических свойств пленок сульфида свинца. Отмечено, что на основании проведенных расчетов можно отбраковывать пленки, оценив температуру их разогрева по известным рабочим параметрам: темновой проводимости фоторезистора, рабочей температуре и напряжению.ukвольтамперфоторезисторполикристаллическе пленкифототокдифференциальная проводимостьленц-джоульArticle