Лепіх, Ярослав ІллічОліх, Я. М.Lepikh, Yaroslav I.Olikh, Ya. M.Лепих, Ярослав ИльичОлих, Я. М.2017-10-242017-10-242017Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologieshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/11136Стаття присвячена дослідженню фізичних процесів у напівпровідникових структурах під дією високоенергетичного опромінення при імплантації іонів Ar+, N+ і O+ і при одночасному опроміненні акустичними хвилями. Виявлено ряд ефектів обумовлених стимуляцією акустичним полем.The article is devoted to the investigation of physical processes in semiconductor structures under the action of high-energy irradiation at Ar +, N + and O + ions implantation and at simultaneous acoustic waves irradiation. A number of effects caused by an acoustic field stimulation has been revealed.Статья посвящена исследованию физических процессов в полупроводниковых структурах под действием высокоэнергетического облучения при имплантации ионов Ar+, N+ и O+ и при одновременном облучении акустическими волнами. Выявлен ряд эффектов обусловленных стимуляцией акустическим полем.ukіонна імплантаціяакустичні хвилі«квазікавітація»напівпровідникидефектно-домішкові структуриionic implantationacoustic waves"quasi-cavitation"semiconductorsdefective - impurity structuresионная имплантацияакустические волны«квазикавитация»полупроводникидефектно-примесные структурыArticle