Лєнков, С. В.Лепіх, Ярослав ІллічМокрицький, В. А.Лукомський, Д. В.Охрамович, М. М.Lenkov, S. V.Lepikh, Yaroslav I.Mokritsky, V. A.Lukomsky, D. V.Ohramovich, M. M.Лепих, Ярослав Ильич2010-09-082010-09-082009Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystemhttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/228Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - 2009.У даній статті описано новий спосіб аналізу та керування параметрами ФЕП для апаратури спеціального призначення за допомогою узагальненого комплексного показника якості та надійності. Запропонований параметр Q дозволяє не тільки керувати процесом виготовлення кремнієвих ФЕП, але і проводити аналіз рівня їх якості та оцінювати дефектність готових виробів. The new mode of the analysis and management in PhEC parameters for the special purpose equipment with the help of the generalized complex quality and reliability coefficient is described. The proposed parameter Q allows not only to operate silicon PhEC manufacturing process, but also to carry out their quality level analysis and to estimate the finished production deficiency.фотоелектричний перетворювачтехнологічний процесопроміненнятекстуруваннядефектиямки травленняphotoelectric convertertechnological processirradiationtexturingdefectsetching pitsArticle