Птащенко, Александр АлександровичПтащенко, Федор АлександровичВолков, И. А.Групп, А. Г.Ptashchenko, Oleksandr O.Птащенко, Олександр Олександрович2018-06-012018-06-012000Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16435Изучено влияние жидкой диэлектрической среды на пороговый ток, интенсивность излучения и угловое распределение излучения в ТЕ и ТМ модах полупроводниковых лазеров на основе двойных гетероструктур GaAs—AlGaAs с полосковой геометрией. Показано, что увеличение показателя преломления окружающей среды, кроме повышения порогового тока, изменяет угловое распределение излучения в ТЕ и ТМ модах. Данное явление объясняется влиянием внешней среды на пороговое значение инверсной населенности в активной области и может быть использовано для улучшения пространственных параметров лазерного излучения.ruдиэлектрическая средапороговый токполупроводникгетероструктураArticle