Вашпанов, Юрій ОлександровичСминтина, Валентин Андрійович2018-02-012018-02-011999Вісник Одеського національного університету = Odesa National University Heraldhttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/12663В роботі представлені результати експериментальних досліджень електронних властивостей структур мікропоруватого кремнію та їх адсорбційної чутливості до полярних молекул аміаку при освітленні поверхні напівпровідника білим світлом різної інтенсивності. Показана можливість керування величиною адсорбційної чутливості матеріалу до полярного газу за рахунок зміни інтенсивності освітлення.В работе представлены результаты экспериментальных исследований электронных свойств структур микропористого кремния и их адсорбционной чувствительности к полярным молекулам аммиака при освещении поверхности полупроводника светом различной интенсивности. Показана возможность управления величиной адсорбционной чувствительности материала к полярному газу за счет изменения интенсивности освещения.The results of experimental study of electronic properties of microporous silicon structures and their adsorption sensitivity to polar molecules of ammonia under irradiating a surface of the semiconductor by light of various intensity arc submitted. The opportunity of management of quantity of adsorption sensitivity of a material to polar gas at the expense of change of light intensity is shown.ukмікропоруватий кремнійадсорбційна чутливістьмолекулb аміакумикропористый кремнийадсорбционная чувствительностьмолекулы аммиакаmicroporous siliconadsorption sensitivitymolecules of ammoniaArticle