Курмашев, Шамиль ДжамашевичШевчук, О. Б.Шенкевич, А. Л.Могильницкий, А. Л.2018-05-312018-05-312000Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16377Использование давления является одним из способов перестройки длинно-волновой границы и увеличения чувствительности фотоприемников на основе контакта металл—полупроводник. Изучалось влияние давления на выпрямляющий контакт Mo-Si с локальными уровнями в запрещенной зоне кремния. Структуры подвергались воздействию когерентного импульсного излучения с длиной волны Я. = 1.06 мкм и длительностью импульса 10 3 с. Относительная величина перестройки длинноволновой границы для давления 1.5-106 Па после воздействия когерентного излучения составляет ~ 50%.ruдлинно-волновая границафотоприемникимпульскогерентное излучениеArticle