Ницук, Ю. АНіцук, Ю. А.Nitsuk, Yu. A.2013-09-272013-09-272013Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologieshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/3865Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журналИсследованы монокристаллы ZnS:V, полученные методом диффузионного легирования. Исследованы спектры оптической плотности в области энергий 0.4-3.9 эВ. По величине смещения края поглощения определена концентрация ванадия в исследуемых кристаллах. Идентифицирована природа оптических переходов, определяющих оптические свойства монокристаллов ZnS:V в видимой и ИК-области спектра.Досліджені монокристали ZnS:V, отримані методом дифузійного легування. Спектри оптичної густини досліджувались в області енергій 0.4-3.9 еВ. За величиною зсуву краю поглинання визначена концентрація ванадію в досліджуваних кристалах. Ідентифікована природа оптичних переходів, що визначають властивості кристалів ZnS:V в видимій та ІЧ- області спектру.ZnS:V single crystals obtained by diffusion doping are investigated. The spectra of optical density in the energy range 0.4-3.9 eV are investigated. On absorption edge shift of investigated crystals the vanadium concentration is calculated. Nature of optical transitions determining optical properties of ZnS:V single crystals in the visible and IR-region of spectrum is identified.ruсульфид цинкаионы ванадиявнутрицентровые оптические переходыфотоионизациясульфід цинкуіони ванадіювнутришньоцентрові оптичні переходифотоіонізаціяzinc sulfidevanadium ionsintracenter optical transitionsphotoionisationArticle