Бодачевський, Вадим Сергійович2019-03-142019-03-142018Бодачевський, В. С. Вплив режимів фотохімічного поверхневого легування сіркою на чутливість p-n переходів на основі арсеніду галію до парів аміаку = Effect of photochemical surface sulphide doping regime on the sensitivity of gallium arsenide p-n junctions to the ammonia vapors : дипломна робота магістра / В. С. Бодачевський; наук. кер. Н. В. Маслєєва; ОНУ ім. І.І. Мечникова, Ф-т математики, фізики та інформаційних технол., Каф. експериментальної фізики. – Одеса, 2018. – 37 с.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/22909Доведено, що чутливість р-n переходів на основі GаAs до парів аміаку, яка обумовлена утворенням поверхневого провідного каналу n-типу, зростає при збільшенні часу фотохімічного поверхневого легування сіркою і досягає максимальних значень при 40 с. Це можна пояснити зменшенням густини поверхневих станів за рахунок утворення зв'язків сірка - галій і збільшенням кількості вільних електронів у каналі. При подальшому збільшенні часу фотохімічного поверхневого легування газова чутливість р-n переходів зменшується, що можна пояснити утворенням на поверхні шару аморфної сірки, який екранує електричне поле адсорбованих іонів аміаку.uk104 фізика та астрономіягазові сенсорихімічні сенсоричутливість p-n переходівDiplomas