Курмашев, Ш. Д.Садова, Н. Н.Лавренова, Т. И.Бугаева, Т. Н.2013-12-172013-12-1720083-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/41113-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.Исследовано влияние рентгеновского излучения на кристаллизацию стекла и электрофизические параметры толстых пленок на основе соединений рутения. Облучение стекол проводилось рентгеновским излучениям с энергией 40 кэВ (ДРОН-УМ1)и 140 кэВ (МТР-ЗИ). Общая доза облучения составляла 300 Р.ukструктурно-фазовые превращениякомпозиционных структурстекло - RuО2рентгеновское излучениеArticle