Bak, A. Yu.Karakis, Yurii M.Kutalova, Mariia I.Chebanenko, Anatoliy P.Бак, А. Ю.Каракіс, Юрій МиколайовичСтупак, Олександра ЕдуардівнаКуталова, Марія ІванівнаЧебаненко, Анатолій ПавловичStupak, Oleksandra E.Бак, А. Ю.Каракис, Юрий НиколаевичСтупак, Александра ЭдуардовнаКуталова, Мария ИвановнаЧебаненко, Анатолий Павлович2015-02-062015-02-062014Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/5762Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2014. - англThe paper puts forward a method for determination of semiconductor activation energy in end product. It is illustrated that band gap can be calculated at cutoffs on both axes of graphs ln(I) ÷U, measured at different temperatures. Minimum temperature interval is determined depending on measuring accuracy. A new method for determination of value Eg without VAC extrapolation is put forward.Запропоновано метод визначення енергії активації напівпровідника в готовому виробі. Показано, що ширину забороненої зони можливо розрахувати по відсічкам на обох осях графіків ln(I)÷U, виміряних при різних температурах. Визначений мінімальний температурний інтервал в залежності від точності вимірювань. Вказано новий засіб визначення Еg без екстраполяції ВАХ.Предложен метод определения энергии активации полупроводника в готовом изделии. Показано, что ширину запрещённой зоны можно рассчитать по отсечкам на обеих осях графиков ln(I)÷U, измеренных при разных температурах. Определён минимальный температурный интервал в зависимости от точности измерений. Указан новый способ определения величины Еg без экстраполяции ВАХ.endetermination of band gapsemiconductor materialactivation energyширина забороненої зониенергія активаціїнапівпровідникширина запрещенной зоныэнергия активацииполупроводникArticle