Dragoev, A. A.Karakis, Yurii M.Kutalova, Mariia I.Драгоев, А. А.Каракис, Юрий НиколаевичКуталова, Мария ИвановнаДрагоєв, О. О.Каракіс, Юрій МиколайовичКуталова, Марія Іванівна2010-10-132010-10-132007Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/916Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт, 2007.It is shown that spectral position for short-wave threshold of photocurrent infrared quenching can be the indicator for flowing processes of occupation-depletion in recombination traps. It is determined that the competition between photoexcitation and quenching of photocurrent is the characteristic for this spectral region. Thereby, the wavelength of short-wave edge for IR-quenching becomes sensitive to internal exposures. The model explaining the observed changes is developed.Studies of processes within short-wave threshold of photocurrent infrared quenchingИсследование процессов в области коротковолнового порога инфракрасного гашения фотопотокаДослідження процесів в області короткохвильового порогу інфрачервоного гасіння фотострумуArticle