Ковалюк, Сергій Вікторович2018-05-212018-05-212017Ковалюк, С. В. Вплив рентгенівського опромінення на електрофізичні властивості структур метал-діелектрик-напівпровідник = Effect of X-ray irradiation on the electrical properties of the structures metal-insulator- semiconductor : дипломна робота бакалавра / С. В. Ковалюк ; наук. кер. В. І. Солошенко ; ОНУ ім. І.І. Мечникова, Фіз. ф-т, Каф. фізики твердого тіла і твердотільної електроніки . – Одеса, 2017 . – 35 с.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/15480Унікальні фізичні властивості межі між кристалічним кремнієм і аморфним SiC>2 є передумовою для розвитку сучасної кремнієвої мікроелектроніки , що базується на планарній технології . В кремнієвих мікросхемах активним елементом є транзистор на основі структури метал - діалектик - напівпровідник (МДН - транзистор). Схеми на МДН транзисторах складають на сьогодні значну частину виробів , що випускаються електронною промисловістю . На їх основі будується більшість інтегральних схем (ІС) з великим ступенем інтеграції (ВІС) і надвеликим ступенем (НВІС). Схеми на МОН-транзисторах займають домінуюче положення при створенні таких функціонально закінчених виробів, як постійні і оперативні запам’ятовуючі пристрої , мікроконтролери , мікропроцесори та інші.other6.040203 Фізикарадіаційна стійкістьопроміненнярадіаційні дефектидеградаційні процесирентгенOther