Зубков, О. Ю.Кучерський, А. Ю.Маренков, Володимир ІллічМаренков, Владимир ИльичMarenkov, Volodymyr I.2019-03-282019-03-282010"Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса) Тези доповідей, 28 черв.-2 лип., 2010 р. / "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса); гол. ред. В. А. Сминтина; ОНУ ім. І.І. Мечникова [та ін.]. – Одеса : Астропринт, 2010. – 354 с.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/23389У сучасних нанотехнологіях перспективним напрямком є використання напівпровідникових матеріалів з нановключеннями в об’ємі . Сюди відносяться проблеми визначення електронних параметрів поруватого кремнію та інших напівпровідників. Існує багато публікацій щодо моделювання властивостей квантово-розмірних ефектів в таких матеріалах та мається багато досліджень щодо експериментів з визначення електронних властивостей цих матеріалів, зокрема ширини забороненої зони. Складні квантово-механічні [1] моделі квантових точок, квантових ниток і т. ін., поки-що не дають однозначної відповіді щодо визначення зв’язку параметрів напівпровідникової матриці та її ефективних (осереднених за обємом) властивостей при створенні нанонеоднорідностей в об’ємі.ukсучасні нанотехнологіїмоделювання властивостей квантово-розмірних ефектіввизначення ефективних електронних параметрів мікронеоднорідних напівпровідників з дефектами заповнення об’ємуArticle