Brytavskyi, Yevhen V.Karakis, Yurii M.Kutalova, Mariia I.Chemeresiuk, Heorhii H.Каракис, Юрий НиколаевичБритавский, Евгений ВикторовичКуталова, Мария ИвановнаЧемересюк, Георгий ГавриловичКуталова, Марія ІванівнаЧемересюк, Георгій ГавриловичКаракіс, Юрій Миколайович2010-09-062010-09-062010Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/199Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. – Одесса : Астропринт, 2010. – Вып. 19.The interaction processes between the basic and excited states of sensitization centres were investigated by reversive procedure. It was stated that all the observed effects can be explained by stimulated level of hole trap occupation and changes in thermal redistribution of captured carriers taking into account that the band scheme was corrected.Исследованы процессы взаимодействия между основным и возбуждённым состоянием очувствляющих центров с применением реверсивного метода. Установлено, что все наблюдаемые эффекты могут быть объяснены стимулированным уровнем заполнения дырочных ловушек и изменением термического перераспределения захваченных носителей с учётом откорректированной зонной схемы.enspectral characteristicsphotocurrentholesспектральные характеристикифототокловушкаArticle