Orlovska, Svitlana G.Lysianska, Mariia V.Орловская, Светлана ГеоргиевнаЛисянская, Мария ВладимировнаОрловська, Світлана ГеоргіївнаЛисянська, Марія Володимирівна2018-12-182018-12-182018Orlovskaya S. G. The oxide structures formation on the surface of tungsten / S. G. Orlovskaya, M. V. Liseanskaia // Фізика аеродисперсних систем. – 2018. – Вип. 55. – С. 54–58.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/20651The temperature regimes and the kinetics of the formation of tungsten oxide crystals on the surface of a tungsten conductor heated by an electric current in air were studied, as well as the fractal dimension of branched oxide formations. It was shown that at the temperature higher than 1100 K, separate formations were observed on the surface of the conductor. These were nuclei of tungsten oxide crystals, which over time grew into branchy formations. The fractal dimension of the structures obtained at different stages of growth was calculated using the principle of object coverage. It was determined that at the initial stage, the growth of crystals proceeds according to the mechanism of the Brownian motion “cluster-cluster”, then along the Brownian motion “particle-cluster”.В работе изучаются температурные режимы и кинетика образования кристаллов оксида вольфрама на поверхности вольфрамового проводника, нагреваемого электрическим током в воздухе, а также проводятся исследования фрактальной размерности разветвленных оксидных образований. Показано, что при температуре больше 1100К на поверхности проводника наблюдалось появление отдельных образований – зародышей кристаллов оксида вольфрама, которые с течением времени разрастались в ветвистые образования. Проведен расчет фрактальной размерности полученных структур на различных этапах роста по принципу покрытия объекта. Определено, что на начальном этапе рост кристаллов идет по механизму броуновского движения «кластер-кластер», затем по механизму «частица-кластер».В роботі вивчаються температурні режими і кінетика утворення кристалів оксиду вольфраму на поверхні вольфрамового дротика, що нагрівається електричним струмом в повітрі, а також дослідження фрактальної розмірності розгалужених оксидних утворень. Показано, що при температурі більше 1100К на поверхні провідника спостерігалася поява окремих утворень - зародків кристалів оксиду вольфраму, які з плином часу розросталися в гіллясті структури. Проведено розрахунок фрактальної розмірності отриманих структур на різних етапах росту за принципом покриття об'єкта. Визначено, що на початковому етапі зростання кристалів йде за механізмом броунівського руху «кластер-кластер», потім за механізмом «частинка-кластер».enoxide structures formationtungsten oxide crystalstungsten conductorbranched oxide formationsобразование оксидных структуркристаллы оксида вольфрамавольфрамовый проводникутворення оксидних структуркристали оксиду вольфрамувольфрамовий дротикArticlehttps://doi.org/10.18524/0367-1631.2018.55.149896536.46