Гевелюк, С. А.Дойчо, Ігор КостянтиновичЖуков, Сергій ОлександровичРисакевич-Пасек, Е.Поланська, Й.Жуков, Сергей АлександровичZhukov, Serhii O.2013-12-172013-12-1720083-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/40933-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.Перетворення мікроелектроніки у наноелектроніку висуває додаткові вимоги до властивостей матеріалів, що використовуються у практичних застосуваннях. Однією з таких вимог є створення нанорозмірних кластерів напівпровідникових сполук, що традиційні для електроніки, для яких виявляються суттєвими квантово-розмірні ефекти. Такою, перспективною для потреб наноелектроніки сполукою є CdS, фотолюмінесцентнівластивості якого у кристалічному стані добре вивчено, отже дослідження властивостей нанорозмірних кластерів цієї сполуки є вельми актуальним.ukγ-опроміненняфотолюмінесцентні властивостікластери cdsшпаристе склоArticle