Покутній, С. І.Покутний, С. И.Pokutnyi, S. I.2010-09-232010-09-232004Sensor Electronics and Microsystem Technologieshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/538Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - 2004.Приводиться теоретичний аналіз можливості використання переходів важкої дірки між еквідистантною серією рівнів у адіабатичному потенціалі електрона в напівпровіднико -вих квантових точках у оптичному нанолазері.Проводится теоретический анализ возможности использования переходов тяжелой дырки между эквидистантной серией уровней в адиабатическом потенциале электрона в полупроводниковых квантовых точках в оптическом нанолазере. We discuss energy spectrum of electron-hole pairs in a quasi-zero-dimensional system consisting of spherical semiconductor quantum dots placed in transparent dielectric matrice. We study theoretically the prospect of using hole transitions between equidistant series of quantum levels observed in quantum dots iv design of a nanoleser.othertransitions the heavy holeadiabatic potentialquantum dotsnanolaserпереходи важкої діркиадіабатичний потенціалквантові точкинанолазерпереходы тяжелой дыркиадиабатический потенциалквантовые точкинанолазерArticle