Глауберман, Михайло АбовичЄгоров, В. В.Каніщева, Н. А.Козел, В. В.Glauberman, Mykhailo A.Глауберман, Михаил Аббович2013-12-172013-12-172008Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystemhttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/41153-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.Експериментально вивчено, що при опроміненні кремнієвих двохколекторних магнітотранзисторів (ДМТ) потоком електронів дозами Ф =1013-3*1013 см-2, енергією 2,5 МеВ з наступним відпаленням при температурі 480° С на протязі 2-3 годин спостерігається максимум магніточутливості. Поява максимуму магніточутливості пояснюється ростом рухливості та збільшенням часу життя неосновних інжектованих носіїв після відпалення. Така ситуація обумовлена різною природою радіаційних дефектів у базі ДМТ, домінуюча роль котрих залежить як від умов опромінення і домішкового складу, так і від наявності стоків для первинних структурних дефектів у матеріалі приладу.ukелектронне опроміненнякремнієвий високочутливий магнітотранзисторЗастосування електронного опромінення у технології виготовлення кремнієвих високочутливих магнітотранзисторівArticle