Лепіх, Ярослав ІллічЛавренова, Т. І.Бугайова, Т. М.Ленков, С. В.2019-03-272019-03-2720146-та Міжнародна наукова-технічна конференція "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології"(СЕМСТ-6) (з виставкою розробок та промислових зразків сенсорів), Україна, Одеса, 29 вересня - 3 жовтня 2014 р. : тези доповідей : Конф. присвяч.150-й річниці Одеського нац. ун-ту ім. І.І. Мечникова і 100-річчю науки про напівпровідники / гол. ред.: В. А. Сминтина; редкол.: О. Є. Бєляєв [та ін.]; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова, Одеський нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. – Одеса : Астропринт, 2014. – 265 с.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/23359Функціональну основу резистивних паст, які широко використовуються в товстоплівковій технології та сенсорній електроніці складають, як правило, оксидні з'єднання рутенію, срібла і паладію. В якості скляного зв’язуючого до складу паст входять свинцево-боро-силікатні стекла. Ці стекла мають високу температуру початку розм’якшення ~ 580 - 700° С, що підвищує температуру відпалу резистивних паст до 800 - 900° С і витрати на виготовлення товстоплівкових елементів. Крім того, ці елементи мають низьку відтворюваність електрофізичних параметрів.ukтовстоплівковий матеріалсенсоргібридні інтегральні схемиArticle