Шершньов, Ігор Ігорович2025-04-152025-04-152024Шершньов, І. І. Вплив режимів халькогенідної обробки на проходження струмів у p-n переходах на основі арсеніду галію = The influence of chalcogenide treatment modes on the current flow of gallium arsenide p-n junctions : кваліфікаційна робота магістра / І. І. Шершньов. – Одеса, 2024. – 30 с.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/41023Зменшення розмірів напівпровідникових приладів призводить до збільшення впливу поверхні на їхні характеристики. Сучасні методи обробки поверхні складаються з двох різних технологічних операцій. При травленні з поверхні видаляють оксидний шар, а потім наносять захисне покриття. Халькогенідна обробка ці процеси поєднує в один технологічний цикл. Після халькогенідної обробки поверхні повністю або часткове видаляються поверхневі оксиди, відбувається реконструкція поверхні та утворюється пасивуючий шар сполук галію з халькогеном. Внаслідок халькогенідної обробки змінюється щільність поверхневих станів. Це призводить до покращення характеристик напівпровідникових приладів. Однак систематичні дослідження дії халькогенідної пасивації, проведені для різних розчинників, їх концентрацій, різних тривалостях обробки досі відсутні.uk104 фізика та астрономіямагістрхалькогенідне пасивуюче покриттяхалькогенідна обробкаповерхняструктура діодівDiplomas