Лепіх, Ярослав ІллічLepikh, Yaroslav I.Лепих, Ярослав ИльичЛавренова, Т. І.Лавренова, Т. И.Lavrenova, T. I.Балабан, Андрій ПетровичBalaban, Andrii P.Балабан, Андрей Петрович2021-07-142021-07-142021Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologieshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/31391Досліджено структурно-фазові перетворення у плівках на границі розділу ге- теро системи «скло – кластери Ag-Pd» – Sn-Pb. Встановлено зв’язок цих перетворень з дисперсністю вихідних компонентів матеріалів системи за однакових температурних режимів обробки плівкових елементів. Показано, що структурно-фазові перетворення в контактних елементах мікроелектрон- них пристроїв гібридних інтегральних схем, сенсорів, сонячних елементів тощо виготовлених з функціональних матеріалів на основі вказаної системи можуть призводити до деградаційних процесів і, як наслідок, до зниження надійності радіоелектронних виробів.Structural-phase transformations in films at the interface of the heterosystem "glass - Ag-Pd clusters" – Sn-Pb have been investigated. The relationship between these transformations and the initial system material component dispersion is established at the same film element temperature operating mode. Т. І. Лавренова, Sensor Electronics and Мicrosystem Technologies 2021 – T. 18, № 2 15 It is shown that structural-phase transformations in contact elements of hybrid integrated circuits microelectronic devices, sensors and solar cells, etc. made of functional materials based on the specified heterosystem can lead to degradation processes and, as a consequence, to a decrease in the electronic product reliability.Исследованы структурно-фазовые превращения в пленках на границе раздела гетеросистемы «стекло - кластеры Ag-Pd» – Sn-Pb. Установлена связь этих преобразований с дисперсностью исходных компонентов мате- риалов системы при одинаковых температурных режимах обработки пленочных элементов. Показано, что структурно-фазовые превращения в контактных элементах микроэлектрон- ных устройств гибридных интегральных схем, сенсоров, солнечных элементов и т.п. изготов- ленных из функциональных материалов на основе указанной системы могут приводить к дегра- дационным процессам и, как следствие, к снижению надежности радиоэлектронных изделий.ukгетеросистеми «скло - кластери»границя поділуструктурно-фазові перетворенняheterosystems "glass - clusters"interfacestructural-phase transformationsгетеросистемы «стекло - кластеры»граница разделаструктурно-фазовые превращенияArticle10.18524/1815-7459.2021.2.235202